epitaksija

Epitaksija – tai kristalo auginimo ant kito kristalo proceso, kai augantis sluoksnis įgauna substrato (pagrindo) kristalinę struktūrą ir orientaciją.

Trumpai: vieno kristalo augimas ant kito, perimant jo kristalografinę orientaciją.

Pavyzdžiai:
1. Puslaidininkiuose: Silicio (Si) sluoksnio augimas ant safyro (Al₂O₃) plokštelės, naudojant cheminę garų fazės epitaksiją (CVD).
2. Optikoje: Galio arsenido (GaAs) plonų sluoksnių augimas ant germanio (Ge) pagrindo, skirtas greitiems optoelektriniams įrenginiams.
3. Superlaidumoje: Itrio-bario-vario oksido (YBCO) plonų sluoksnių augimas ant strontcio titanato (SrTiO₃), naudojant plazminę purškimo epitaksiją.

Įrašas
Paaiškinimas	Epitaksija – tai kristalo auginimo ant kito kristalo proceso, kai augantis sluoksnis įgauna substrato (pagrindo) kristalinę struktūrą ir orientaciją. Trumpai: vieno kristalo augimas ant kito, perimant jo kristalografinę orientaciją. Pavyzdžiai: 1. Puslaidininkiuose: Silicio (Si) sluoksnio augimas ant safyro (Al₂O₃) plokštelės, naudojant cheminę garų fazės epitaksiją (CVD). 2. Optikoje: Galio arsenido (GaAs) plonų sluoksnių augimas ant germanio (Ge) pagrindo, skirtas greitiems optoelektriniams įrenginiams. 3. Superlaidumoje: Itrio-bario-vario oksido (YBCO) plonų sluoksnių augimas ant strontcio titanato (SrTiO₃), naudojant plazminę purškimo epitaksiją.
	Išsaugoti

Jūsų pataisymai bus išsiųsti moderatorių peržiūrai, jei informacija tikslesnė/taisyklingesnė
ji bus patalpinta vietoj esamos.